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IRFIBF30G中文资料

IRFIBF30G图片

IRFIBF30G外观图

  • 大小:167.59KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A)
  • 数据列表:IRFIBF30G
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.7 欧姆 @ 1.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:78nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大:35W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
  • 供应商设备封装:TO-220-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRFIBF30G

IRFIBF30G供应商

更新时间:2023-01-10 06:48:56
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